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首頁 > 產品中心 > HITACHI日立 > 日立掃描離子電導顯微鏡 > NX2000日立FIB-SEM三束系統

日立FIB-SEM三束系統

簡要描述:日立FIB-SEM三束系統追求的TEM樣品制備工具
在設備及高性能納米材料的評價和分析領域,FIB-SEM已成為不可或缺的工具。
近來,目標觀察物更趨微細化;更薄,更低損傷樣品的制備需求更進一步凸顯。

  • 產品型號:NX2000
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2022-03-07
  • 訪  問  量:106
產品詳情

日立FIB-SEM三束系統追求的TEM樣品制備工具

設備及高性能納米材料的評價和分析領域,FIB-SEM已成為不可或缺的工具。
近來,目標觀察物更趨微細化;更薄,更低損傷樣品的制備需求更進一步凸顯。
日立高新公司,整合了高性能FIB技術和高分辨SEM技術,再加上加工方向控制技術以及Triple Beam®*1(選配)技術,推出了新一代產品NX2000


運用高對比度,實時SEM觀察和加工終點檢測功能,可制備厚度小于20 nm的超薄樣品





FIB加工時的實時SEM觀察*2
樣品:NAND閃存
加速電壓:1 kV
FOV:0.6 µm

加工方向控制技術(Micro-sampling®*3系統(選配)+高精度/高速樣品臺)對于抑制窗簾效應的產生,以及制作厚度均一的薄膜類樣品給予厚望。


加工方向控制


常規加工時

Triple Beam®*1(選配)可提高加工效率,并能使消除FIB損傷自動化

EB:Electron Beam(電子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦離子束)
Ar:Ar ion beam(Ar離子束)


項目內容
FIB鏡筒
分辨率4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV
加速電壓0.5~30 kV
束流0.05 pA ~ 100 nA
FE-SEM鏡筒
分辨率2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV
加速電壓0.5~30 kV
電子槍冷場場發射型
探測器
標準検出器In-lens 二次電子探測器/樣品室二次電子探測器/背散射電子探測器
樣品臺X:0 ~ 205 mm
Y:0 ~ 205 mm
Z:0 ~ 10 mm
R:0 ~ 360°連續
T:-5 ~ 60°


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